集微网消息，6月30日荷兰政府颁布关于半导体设备出口管制的最新条例，部分媒体将此理解为针对中国的光刻机管制再次升级至所有DUV，实际上这些新的出口管制条例针对对象为先进的45nm及以下芯片制造技术，包括最先进的ALD原子沉积设备、外延生长设备、等离子体沉积设备和浸润式光刻系统，以及用于使用和开发这类先进设备的技术、软件。
ASML在给集微网的一份声明中强调，荷兰政府新颁布的出口管制条例只涉及部分最新DUV型号，包括 TWINSCAN NXT:2000i 及后续推出的浸润式光刻系统。EUV光刻机在此前已经受到限制，其他系统的发运未受荷兰政府管控。根据ASML官网信息，DUV浸润式光刻系统，包含：TWINSCAN NXT:2050i、NXT:2050i、NXT:1980Di 三种光刻机，这些能够进行38nm~45nm制程的晶圆加工。
此外，能够进行45nm以上晶圆加工，如65nm~220nm制程的干式DUV光刻机如：TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等，均不在荷兰制裁清单内。
根据集微网翻译的荷兰管制清单如下：
荷兰外贸和发展合作部部长颁布的MinBuza.2023.15246-27 号条例规定，对此前第2021/821 号条例附件一中未提及的半导体先进生产设备的出口实行许可要求（有关先进半导体制造设备）
第二条：本条例规定，未经部长许可，禁止从荷兰出口先进的半导体生产设备。
第三条：
1、第二条所述的许可申请，应由出口商提出并向检察官提交。
2、在任何情况下，申请均应包含：
a出口商名称和地址；
b先进半导体制造设备的收货人和最终用户名称和地址；
c先进半导体制造设备的接受者和最终使用者名称和地址。
3、在任何情况下，检察官都有权要求出口商提供有关出口的合同，和有关最终使用用途的声明。
第四条：
第二条所述的许可证，可以附加条件和规定。
第二条所述许可的授予，可以存在限定条件。
第五条：
第二条中提到的许可证，可以在以下情况下被撤销：
a许可证是根据不正确或不完整信息颁发的；
b未遵循许可证的规定、条件和限制；
c出于国家外交和安全政策的考虑。
半导体先进生产设备管理规定附录
用于半导体设备或材料的生产设备、软件和技术，以及为其专门设计的零部件和配件。
3B001.l
EUV掩膜
3B001.m
EUV掩膜生产设备
3B001.f.4
以下光刻设备：
a 使用普通光源或X射线进行晶圆加工、对准和重复曝光的设备，具有以下任何特征：
1.光源的波长小于193nm；
2.光源的波长≥193nm，但是能够产生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的图案；以及套刻精度≤1.50nm。
业内人士解读指出，荷兰新规对DUV设备（光源波长大于等于193nm）的限制门槛是同时满足两个条件：光源波长×K/数值孔径<=45nm；套刻精度<=1.5nm。精准地把1980i（套刻精度1.6nm）排除在外，2000i（套刻精度1.4nm）刚好在线内。
3B001.d.12
用于金属原子层沉积（ALD）的设备：
a具备以下所有条件：
1.一种以上的金属源，其中一种是以铝（Al）为前体设计的；
2.具有温度高于45℃的进料容器。
b设计用于沉积具有以下所有特征的金属材料：
1.沉积碳化钛铝（Ti Al C）；
2.可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料。
3B001.a.4
用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂硅锗（SiGe）这几种材料外延生长的设备：
a具有以下所有条件：
1.在多个腔室和工艺步骤之间保持高真空度（水和氧分压≤0.01Pa），或形成惰性气氛（水和氧分压≤0.01Pa）的装置；
2.至少有一个用于清洁晶圆表面的预处理室，等等；
3.外延沉积工作温度≤685℃。
3B001.d.19
设计用于介电常数低于3.3的金属线之间，在宽度小于25nm、长宽比≥1:1的空隙中，进行无空隙等离子体放大沉积的设备。
3D007
专门用于开发、生产或操作本法规3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19项规定的设备而研发的软件。
3E005
开发、生产或使用本法规3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19项规定的设备所需的技术。
“新颁布的管制条例今年9月1日生效，现在ASML可以开始提交出口许可申请；9月1日之后，管制条例涉及的设备型号出口需向荷兰政府提交出口许可申请，由荷兰政府决定是否批准授予许可证。”ASML方面告诉集微网。
这意味着9月1日之前发货的DUV光刻机或不受影响。
为此，新的出口管制对ASML造成的影响，ASML回应与几个月前的回应一致，即“不会对已发布的2023年财务展望以及于2022年11月投资者日宣布的长期展望产生重大影响。”
针对荷兰将部分光刻机等半导体相关产品纳入出口管制的决定。中国商务部新闻发言人表示，中方注意到相关报道。近几个月以来，中荷双方就半导体出口管制问题开展了多层级、多频次的沟通磋商。但荷方最终仍将相关半导体设备列管，中方对此表示不满。近年来，美国为维护自身全球霸权，不断泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，甚至不惜牺牲盟友利益，胁迫拉拢其他国家对中国实施半导体打压围堵，人为推动产业脱钩断链，严重损害全球半导体产业发展，中方对此坚决反对。
商务部新闻发言人强调，荷方应从维护国际经贸规则及中荷经贸合作大局出发，尊重市场原则和契约精神，避免有关措施阻碍两国半导体行业正常合作和发展，不滥用出口管制措施，切实维护中荷企业和双方共同利益，维护全球半导体产业链供应链稳定。
中国驻荷兰使馆发言人发表评论表示：
我们注意到，荷兰政府正式出台半导体制造设备的出口管制措施，这是对出口管制措施的滥用，是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离，中方对此坚决反对。
当前，全球半导体产业已形成你中有我、我中有你的产业格局。中国是世界最大的半导体市场，也是全球半导体供应链的重要组成部分。荷方以所谓“国家安全”为由人为设限毫无道理，完全站不住脚。在科技领域人为制造壁垒，在法律上、道义上没有依据。这种行为不仅损害中国企业的正当合法权益，也会让荷兰企业蒙受损失，损害全球产业链供应链的稳定，还将破坏荷支持自由贸易的良好信誉。
众所周知，一段时间以来，个别大国一再泛化“国家安全”概念，滥用出口管制措施，对中国企业进行恶意封锁和打压，胁迫盟友参与对华经济遏制。我们呼吁荷方从维护国际经贸规则及中荷经贸合作大局出发，立即纠正错误做法。中方将坚决维护自身合法权益。同时，也愿与荷方一道，本着互利互惠的原则，共同探讨解决方案，共同推动中荷经贸关系健康发展。
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